碳化硅烧结工艺过程

2023-10-15T23:10:56+00:00

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE

摘要: 碳化硅 (silicon carbide,SiC) 功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异（1）离子注入是最重要的工艺。硅器件制造中可以采用扩散、离子注入半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造；知乎2021年11月15日碳化硅陶瓷七大烧结工艺 1 反应烧结 2 常压烧结 3 热压烧结 4 热等静压烧结 5 放电等离子烧结 6 闪烧 7 振荡压力烧结碳化硅陶瓷七大烧结工艺会议展览资讯中国粉体网

常压烧结碳化硅工艺流程简介合集百度文库

碳化硅烧结工艺技术的主要步骤包括原料制备、混合、成型、烧结和后处理等。首先，需要选择高纯度的碳化硅粉末作为原料，并进行筛分、干燥等处理。然后将碳化硅粉末与添反应烧结碳化硅陶瓷是一种工艺品，由细颗粒αSiC和添加剂压制成素坯，在高温下与液态硅接触，坯体中的碳与渗入的Si反应，生成βSiC，并与αSiC相结合，游离硅填充了气反应烧结碳化硅陶瓷百度百科本文将介绍碳化硅反应烧结工艺的原理、过程和应用。碳化硅反应烧结是一种通过高温反应使碳源和硅源在一定条件下发生化学反应，生成碳化硅材料的方法。该工艺主要包括原碳化硅反应烧结工艺百度文库